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STC03DE220HV:意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開(kāi)關(guān)
意法半導(dǎo)體宣布推出STC03DE220HV ESBT(發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管)功率開(kāi)關(guān),新產(chǎn)品使設(shè)計(jì)工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助開(kāi)關(guān)電源的能效,降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管
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MAX4996/MAX4996L:Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開(kāi)關(guān)
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)MAX4996/MAX4996L,可切換多路高達(dá)670MHz的高頻信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA),從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)
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TJ3-HT:Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10:Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列,這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A,最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器
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MAX4983E/MAX4984E:Maxim高速USB DPDT開(kāi)關(guān)
Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開(kāi)關(guān)MAX4983E/MAX4984E,可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz),允許采用單個(gè)連接器實(shí)現(xiàn)高性能的切換。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開(kāi)關(guān)
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SMM4F:意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能:在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子
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SMM4F:意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能:在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子
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VFCD1505:Vishay新型高精度Z箔表面貼裝倒裝芯片分壓器
Vishay宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當(dāng)溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及-55°C 至+125°C時(shí),該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對(duì) TCR、在額定功率時(shí) ±5ppm的出色PCR跟蹤(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)及±0.005%的負(fù)載壽命穩(wěn)定度。
2008-05-14
VFCD1505 分壓器
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TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 μF條件下),而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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