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能源電力

多晶硅量子效應(yīng)及其對MOSFET閾值電壓的影響

根據(jù)載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場及其電勢的分布，計算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應(yīng)所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結(jié)果進行了比較，表明其具有較好的準確性

2009-01-17

多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓

FCI收購IMPLO Technologies公司

法國FCI日前收購了面向電力市場的內(nèi)爆(implosive)連接器產(chǎn)品開發(fā)商——IMPLO Technologies公司，這項收購將使FCI能夠把IMPLO開發(fā)的技術(shù)用于其為電力傳輸連接應(yīng)用提供的產(chǎn)品。

2009-01-16

FCI內(nèi)爆技術(shù) 電力應(yīng)用

太陽能發(fā)電成本下降，2010年將達到每千瓦時0.13美元

太陽能發(fā)電的成本不斷下降，但仍高于傳統(tǒng)的發(fā)電技術(shù)。

2009-01-15

太陽能發(fā)電薄膜太陽能光電模組硅晶太陽能光電模組

WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻

Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內(nèi)工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。

2009-01-15

WSLT2010…18 電阻 Power Metal Strip 電流感測電阻 EMF TCR

08年國內(nèi)高純多晶硅產(chǎn)量同比爆增263.7%

國內(nèi)20多個省市把光伏產(chǎn)業(yè)作重點，規(guī)劃或計劃建設(shè)多晶硅項目，國內(nèi)對千噸級多晶硅的規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產(chǎn)能增長快，為國內(nèi)多晶硅企業(yè)提升工藝技術(shù)留下緩沖時間。

2009-01-14

洛陽中硅新光硅業(yè) 江蘇中能東汽峨嵋多晶硅光伏產(chǎn)業(yè) 太陽能

“可以給壁掛電視充電”，Powermat公開非接觸充電技術(shù)

以色列Powermat公司在面向新聞界舉行的CES 2009會前發(fā)布會上，公開演示了該公司的非接觸充電系統(tǒng)。不久之后將上市用于手機、智能電話、便攜式游戲終端及個人電腦的非接觸充電產(chǎn)品。

2009-01-14

CES 2009 磁耦合電腦手機智能手機游戲終端壁掛電視照明適配器 RFID

2008年1-11月電子產(chǎn)品進出口達8242億美元

2008年以來，我國電子信息產(chǎn)品進出口貿(mào)易保持平穩(wěn)較快增長態(tài)勢，但自下半年起增幅明顯回落。1-11月，電子信息產(chǎn)品累計進出口總額為 8242.2億美元，同比增長13.3%，比2007年同期下降10.3%，低于同期全國商品進出口增幅7.6%。

2009-01-12

電子信息進出口貿(mào)易電子元件

照明及筆記本電腦背光應(yīng)用有望幫助LED產(chǎn)業(yè)渡過寒冬

發(fā)光二極管(LED)廠商對今年第1季景氣看法，普遍與一般電子廠雷同，“能見度低”、“沒有答案”，不過廠商還是期待能靠新應(yīng)用的崛起安渡景氣寒冬。

2009-01-12

LED 背光筆記本電腦 LED照明 LED背光

政策引導和技術(shù)進步推動09年中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整

賽迪顧問研究認為，隨著全球?qū)稍偕⑶鍧嵑桶踩茉葱枨蟮娜找嫣嵘?，薄膜技術(shù)等新技術(shù)的創(chuàng)新和成本的逐步降低，09年中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)將會在產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上出現(xiàn)局部調(diào)整，新的應(yīng)用也將涌現(xiàn)市場。

2009-01-09

太陽能產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu) 薄膜技術(shù) 移動電源