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多晶硅量子效應及其對MOSFET閾值電壓的影響
根據載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場及其電勢的分布，計算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數值模擬的結果進行了比較，表明其具有較好的準確性
2009-01-17
多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓
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FCI收購IMPLO Technologies公司
法國FCI日前收購了面向電力市場的內爆(implosive)連接器產品開發(fā)商——IMPLO Technologies公司，這項收購將使FCI能夠把IMPLO開發(fā)的技術用于其為電力傳輸連接應用提供的產品。
2009-01-16
FCI內爆技術 電力應用
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太陽能發(fā)電成本下降，2010年將達到每千瓦時0.13美元
太陽能發(fā)電的成本不斷下降，但仍高于傳統的發(fā)電技術。
2009-01-15
太陽能發(fā)電 薄膜太陽能光電模組 硅晶太陽能光電模組
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WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產品是業(yè)界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
WSLT2010…18 電阻 Power Metal Strip 電流感測電阻 EMF TCR
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08年國內高純多晶硅產量同比爆增263.7%
國內20多個省市把光伏產業(yè)作重點，規(guī)劃或計劃建設多晶硅項目，國內對千噸級多晶硅的規(guī)?；a技術尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產能增長快，為國內多晶硅企業(yè)提升工藝技術留下緩沖時間。
2009-01-14
洛陽中硅 新光硅業(yè) 江蘇中能 東汽峨嵋 多晶硅 光伏產業(yè) 太陽能
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“可以給壁掛電視充電”，Powermat公開非接觸充電技術
以色列Powermat公司在面向新聞界舉行的CES 2009會前發(fā)布會上，公開演示了該公司的非接觸充電系統。不久之后將上市用于手機、智能電話、便攜式游戲終端及個人電腦的非接觸充電產品。
2009-01-14
CES 2009 磁耦合 電腦 手機 智能手機 游戲終端 壁掛電視 照明 適配器 RFID
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2008年1-11月電子產品進出口達8242億美元
2008年以來，我國電子信息產品進出口貿易保持平穩(wěn)較快增長態(tài)勢，但自下半年起增幅明顯回落。1-11月，電子信息產品累計進出口總額為 8242.2億美元，同比增長13.3%，比2007年同期下降10.3%，低于同期全國商品進出口增幅7.6%。
2009-01-12
電子信息 進出口貿易 電子元件
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照明及筆記本電腦背光應用有望幫助LED產業(yè)渡過寒冬
發(fā)光二極管(LED)廠商對今年第1季景氣看法，普遍與一般電子廠雷同，“能見度低”、“沒有答案”，不過廠商還是期待能靠新應用的崛起安渡景氣寒冬。
2009-01-12
LED 背光 筆記本電腦 LED照明 LED背光
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政策引導和技術進步推動09年中國太陽能電池產業(yè)結構調整
賽迪顧問研究認為，隨著全球對可再生、清潔和安全能源需求的日益提升，薄膜技術等新技術的創(chuàng)新和成本的逐步降低，09年中國太陽能電池產業(yè)將會在產業(yè)鏈結構上出現局部調整，新的應用也將涌現市場。
2009-01-09
太陽能 產業(yè)結構 薄膜技術 移動電源
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